COMPARATIVE X-RAY DIFFRACTOMETRY OF THE DEFECT STRUCTURE OF ZnO EPITAXIAL FILMS DEPOSITED BY MAGNETRON SPUTTERING ON C-PLANE Al2O3 SUBSTRATES IN INHOMOGENEOUS ELECTRIC FIELD

Yu. A. Volkovsky; Волковский Ю. А.; V. A. Zhernova; Жернова В. А.; M. S. Folomeshkin; Фоломешкин М. С.; P. A. Prosekov; Просеков П. А.; A. E. Muslimov; Муслимов А. Э.; A. V. Butashin; Буташин А. В.; A. M. Ismailov; Исмаилов А. М.; Yu/ V. Grigoriev; Григорьев Ю. В.; Yu. V. Pisarevsky; Писаревский Ю. В.; V. M. Kanevsky; Каневский В. М.

doi:10.31857/S0023476123020212

Сравнительная рентгеновская дифрактометрия дефектной структуры эпитаксиальных пленок ZnO, выращенных методом магнетронного осаждения на подложках Al₂O₃ ориентации (0001) в неоднородном электрическом поле

Авторы: Волковский Ю.А.¹, Жернова В.А.¹, Фоломешкин М.С.²^,1, Просеков П.А.¹, Муслимов А.Э.¹, Буташин А.В.¹, Исмаилов А.М.³, Григорьев Ю.В.¹, Писаревский Ю.В.¹, Каневский В.М.¹^,2
Учреждения:
1. Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ “Кристаллография и фотоника” РАН
2. Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
3. Дагестанский государственный университет
Выпуск: Том 68, № 2 (2023)
Страницы: 180-188
Раздел: ДИФРАКЦИЯ И РАССЕЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
URL: https://rjonco.com/0023-4761/article/view/673480
DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476123020212
EDN: https://elibrary.ru/BTJWEV
ID: 673480

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ
Доступ закрыт

Доступ предоставлен
Доступ закрыт

Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация
Об авторах
Список литературы
Дополнительные файлы
Статистика

Аннотация

Представлены результаты исследований особенностей роста пленок оксида цинка, полученных на подложках сапфира методом магнетронного осаждения в неоднородном электрическом поле. Анализ пленок проведен с применением методов высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии, построения полюсных фигур и электронной микроскопии. Выявлена последовательность изменения латеральной структуры по мере увеличения толщины пленки, также зависящая от локального потенциала. Так, области с более высоким потенциалом поверхности соответствуют эпитаксиальному соотношению ZnO⟨10\(\bar {1}\)0⟩(0001)||Al₂O₃⟨11\(\bar {2}\)0⟩(0001) с наименьшим несоответствием параметров решеток.

Ключевые слова

X-RAY DIFFRACTOMETRY, ZnO EPITAXIAL FILMS, MAGNETRON SPUTTERING

Список литературы

Izaki M., Omi T. // Appl. Phys. Lett. 1996. V. 68. № 17. P. 2439. https://doi.org/10.1063/1.116160
Kuznetsova S., Mongush E., Lisitsa K. // J. Phys.: Conf. Ser. 2019. V. 1145. № 1. P. 012020.
Laurenti M., Cauda V. // Coatings. 2018. V. 8. № 2. P. 67. https://doi.org/10.3390/coatings8020067
Exarhos G.J., Sharma S.K. // Thin Solid Films. 1995. V. 270. № 1–2. P. 27. https://doi.org/10.1016/0040-6090(95)06855-4
Bachari E.M., Baud G., Amor S.B. et al. // Thin Solid Films. 1999. V. 348. № 1–2. P. 165. https://doi.org/10.1016/s0040-6090(99)00060-7
Triboulet R., Perriere J. // Prog. Cryst. Growth Charact. Mater. 2003. V. 47. № 2–3. P. 65. https://doi.org/10.1016/j.pcrysgrow.2005.01.003
Муслимов А.Э., Асадчиков В.Е., Буташин А.В. и др. // Кристаллография. 2016. Т. 61. № 5. С. 703. https://doi.org/10.7868/S0023476116050143
Itagaki N., Kuwahara K., Matsushima K. et al. // Opt. Eng. 2014. V. 53. № 8. P. 087109. https://doi.org/10.1117/1.oe.53.8.087109
Trautnitz T., Sorgenfrei R., Fiederle M. // J. Crystal Growth. 2010. V. 312. № 4. P. 624. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2009.12.011
Du X.L., Murakami M., Iwaki H. et al. // Phys. Status Solidi. A. 2002. V. 192. № 1. P. 183. https://doi.org/10.1002/1521-396x(200207)192:1<183::aid-ssa183>3.0.co;2-k
Исмаилов А.М., Эмирасланова Л.Л., Рабаданов М.Х. и др. // Письма в ЖТФ. 2018. Т. 44. № 12. С. 52.
Фоломешкин М.С., Волковский Ю.А., Просеков П.А. и др. // Кристаллография. 2022. Т. 67. № 3. С. 317. https://doi.org/10.31857/S0023476122030079
Благов А.Е., Галиев Г.Б., Имамов Р.М. и др. // Кристаллография. 2017. Т. 62. № 3. С. 355. https://doi.org/10.7868/S002347611703002X
Bowen D.K., Tanner B.K. // CRC press, 1998.
Krost A., Bauer G., Woitok J. // Optical characterization of epitaxial semiconductor layers. Berlin, Heidelberg: Springer, 1996. P. 287. https://doi.org/10.1007/978-3-642-79678-4_6
Holy V., Pietsch U., Baumbach T. High-resolution X-ray Scattering from thin films and multilayers. 1999. V. 149. https://doi.org/10.1007/BFb0109385
Серегин А.Ю., Просеков П.А., Чуховский Ф.Н. и др. // Кристаллография. 2018. Т. 64. № 4. С. 521. https://doi.org/10.1134/S0023476119040180
https://www-s.nist.gov/srmors/view_detail.cfm?srm=676A
Birkholz M. // Thin Film Analysis by X-Ray Scattering. John Wiley Sons, 2006. P. 183.
Благов А.Е., Васильев А.Л., Дмитриев В.П. и др. // Кристаллография. 2017. Т. 62. № 5. С. 716. https://doi.org/10.7868/S0023476117050034
Nagao K., Kagami E. // Rigaku J. 2011. V. 27. № 2. P. 6.
Larbah Y., Adnane M., Sahraoui T. // Mater. Sci. Poland. 2015. V. 33. № 3. P. 491.
Kisi E.H., Elcombe M.M. // Acta Cryst. C. 1989. V. 45. № 12. P. 1867. https://doi.org/10.1107/S0108270189004269
Соловьев А.А., Сочугов Н.С., Оскомов К.В. и др. // Физика плазмы. 2009. Т. 35. № 5. С. 443.
Field D.J., Dew S.K., Burrell R.E. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2002. V. 20. № 6. P. 2032. https://doi.org/10.1116/1.1515800