Исследование кристаллической структуры эпитаксиальных наногетероструктур с множественными псевдоморфными квантовыми ямами {InхGa1–хAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) И (111)А

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Доступ платный или только для подписчиков

Аннотация

Исследована кристаллическая структура эпитаксиальных многослойных пленок {In0.1Ga0.9As/GaAs} × × 10 и {In0.2Ga0.8As/GaAs} × 10 на подложках GaAs с различной ориентацией (100), (110), (111)А с целью выявления особенностей, которые могут быть связаны с обнаруженной ранее повышенной эффективностью генерации терагерцевого излучения в пленках с ориентацией (110) и (111)А. Обнаружены существенные концентрации двойников и дефектов упаковки в пленках на нестандартных подложках GaAs (110) и (111)А. С помощью анализа осцилляций толщины на кривых дифракционного отражения уточнен состав и толщины отдельных слоев гетероструктур на подложках GaAs (100).

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Е. А. Климов

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”; АО “НПО Орион”

Автор, ответственный за переписку.
Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва; Москва

А. Н. Клочков

Национальный исследовательский ядерный университет “МИФИ”

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва

С. С. Пушкарёв

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: s_s_e_r_p@mail.ru
Россия, Москва

Список литературы

  1. Naftaly M., Vieweg N., Deninger A. // Sensors. 2019. V. 19. P. 4203. https://doi.org/ 10.3390/s19194203
  2. Consolino L., Bartalini S., De Natale P. // J. Infrared Millim. Terahertz Waves. 2017. V. 38. P. 1289.
  3. Hafez H.A., Chai X., Ibrahim A. et al. // J. Opt. 2016. V. 18. P. 093004. https://doi.org/10.1088/2040-8978/18/9/093004
  4. Dhillon S.S., Vitiello M.S., Linfield E.H. et al. // J. Phys. D. 2017. V. 50. P. 043001. https://doi.org/10.1088/1361-6463/50/4/043001
  5. Krotkus A. // J. Phys. D. 2010. V. 43. P. 273001. https://doi.org/10.1088/0022-3727/43/27/273001
  6. Burford N.M., El-Shenawee M.O. // Opt. Eng. 2017. V. 56. P. 010901. https://doi.org/10.1117/1.OE.56.1.010901
  7. Apostolopoulos V., Barnes M.E. // J. Phys. D. 2014. V. 47. P. 374002. https://doi.org/10.1088/0022-3727/47/37/374002
  8. Castro-Camus E., Alfaro M. // Photon. Res. 2016. V. 4. P. A36. https://doi.org/10.1364/PRJ.4.000A36
  9. Ilg M., Ploog K.H., Trampert A. // Phys. Rev. B. 1994. V. 50. № 23. P. 17111. https://doi.org/10.1103/PhysRevB.50.17111
  10. Климов Е.А., Клочков А.Н., Солянкин П.М. и др. // Квантовая электроника. 2024. Т. 54. № 1. С. 43.
  11. Шик А.Я. Сверхрешетка // Большая российская энциклопедия: научно-образовательный портал. https://bigenc.ru/c/sverkhreshiotka-a2f3e5/?v=5490666
  12. Yerino Christopher D., Liang Baolai, Huffaker Diana L. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2017. V. 35. P. 010801. https://doi.org/10.1116/1.4972049
  13. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. и др. // Микроэлектроника. 2023. Т. 52. № 3. С. 167. https://doi.org/10.31857/S054412692370031X
  14. Климов Е.А., Пушкарев С.С., Клочков А.Н. // Нано- и микросистемная техника. 2022. Т. 24. № 6. С. 283. https://doi.org/10.17587/nmst.24.283-287

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Дизайн сверхрешеточных наногетероструктур. КЯ – квантовая яма.

Скачать (159KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Светлопольные ПЭМ-изображения образцов: а – 105 (100), б – 103 (110), 104 (111)А. На вставках – соответствующие электронограммы.

Скачать (264KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Дефекты в образце 104 (111)А: а – образовавшийся в середине толщины пленки и прорастающий на поверхность дефект, светлопольное ПЭМ-изображение; б – дефекты двойникования и упаковки, изображение с высоким разрешением.

Скачать (706KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Светлопольные ПЭМ-изображения дислокаций в образцах: а – 106 (100), б – 102 (110), в – 102 (111)А.

Скачать (494KB)
Метаданные
6. Рис. 5. КДО 004 образцов 105 (а) и 106 (б) на подложках GaAs(100).

Скачать (323KB)
Метаданные
7. Рис. 6. Асимметричные КДО 422 образцов 105 (а) и 106 (б) на подложках GaAs(100) при малых углах падения (1) и малых углах отражения (2).

Скачать (245KB)
Метаданные
8. Рис. 7. КДО 111 образцов 102 (1), 104 (2), 107 (3), 108 (4) на подложках GaAs(111)А, для лучшей визуализации КДО разнесены по вертикали.

Скачать (172KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2025