Полевые эффекты в электропроводности конденсаторных структур платина/алмазоподобный углерод/платина
- Авторы: Веденеев А.С.1, Рыльков В.В.1,2, Лузанов В.А.1, Николаев С.Н.2, Козлов А.М.1, Бугаев А.С.1,3
-
Учреждения:
- Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
- Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
- Московский физико-технический институт
- Выпуск: Том 68, № 8 (2023)
- Страницы: 827-830
- Раздел: НАНОЭЛЕКТРОНИКА
- URL: https://rjonco.com/0033-8494/article/view/650492
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0033849423080132
- EDN: https://elibrary.ru/UTZQTW
- ID: 650492
Цитировать
Аннотация
Исследованы полевые зависимости электропроводности структур Pt/DLC/Pt на базе тонких слоев высокоомного алмазоподобного углерода (DLC). Показано, что неомическое поведение проводимости структур описывается формулой Френкеля–Пула и связано с коррелированным распределением зарядов в условиях их перколяционного прыжкового транспорта между низкоомными областями DLC.
Об авторах
А. С. Веденеев
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: asv335@mail.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1
В. В. Рыльков
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: asv335@mail.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1; Российская Федерация, 123182, Москва, пл. Академика Курчатова, 1
В. А. Лузанов
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: asv335@mail.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1
С. Н. Николаев
Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”
Email: asv335@mail.ru
Российская Федерация, 123182, Москва, пл. Академика Курчатова, 1
А. М. Козлов
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
Email: asv335@mail.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1
А. С. Бугаев
Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт
Автор, ответственный за переписку.
Email: asv335@mail.ru
Российская Федерация, 141190, Московской обл., Фрязино, пл. Введенского, 1; Российская Федерация, 141700, Московской обл., Долгопрудный, Институтский пер., 9
Список литературы
- Frenkel J. // Phys. Rev. 1938. V. 54. № 8. P. 647.
- Френкель Я.И. // ЖЭТФ. 1938. Т. 8. № 12. С. 1292.
- Hill R.M. // Philosophical Magazine. 1971. V. 23. № 181. P. 59.
- Adachi H., Shibata Y., Ono S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 1971. V. 4. № 7. P. 988.
- Makram-Ebeid S.S., Lannoo M. // Phys. Rev. B. 1982. V. 25. № 10. P. 6406.
- Nasyrov K.A., Gritsenko V.A. // J. Appl. Phys. 2011. V. 109. № 9. Article No. 093705.
- Шкловский Б.И. // ФТП. 1979. Т. 13. № 1. С.93.
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. // Успехи физ. наук. 1975. Т. 117. № 11. С. 401.
- Насыров К.А., Гриценко В.А. // Успехи физ. наук. 2013. Т. 183. № 10. С. 1099.
- Sharma Y., Misra P., Katiyar R.S. // J. Appl. Phys. 2014. V.116. № 8. Article No. 084505.
- Peng P., Xie D., Yang Y. et al. // J. Appl. Phys. 2012. V.111. № 8. Article No. 084501.
- Lampert A., Mark P. Current Injection in Solids. N.Y.: Acad. Press, 1970.
- Andreeva N., Ivanov A., Petrov A. // AIP Advances. 2018. V. 8. № 25. Article No. 025208.
- Zhuge F., Dai W., He C. L. et al. // Appl. Phys. Lett. 2010. V. 96. № 16. Article No.163505.
- Takabayasi S., Yang M., Ogawa Sh. et al. // J. Appl. Phys. 2014. V. 116. № 9. Article No. 093507.
- Веденеев А.С., Лузанов В.А., Рыльков В.В. // Письма в ЖЭТФ. 2019. Т. 109. № 3. С. 170.
- Liao X., Zhang X., Takai K., Enoki T. // J. Appl. Phys. 2010. V. 107. № 1. P. 013709.
- Pollak M., Hauser J.J. // Phys. Rev. Lett. 1973. V. 31. № 21. P.1304.
- Райх М.Э., Рузин И.М. // Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 43. № 9. С. 437.
- Лузанов В.А., Веденеев А.С. // РЭ. 2018. Т. 63. № 9. С. 1007.
- Аладашвили Д.И., Адамия З.А., Лавдовский К.Г. и др. // ФТП. 1989. Т. 23. № 2. С. 213.
- Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.
- Аронзон Б.А., Ковалев Д.Ю., Рыльков В.В. // ФТП. 2005. Т. 39. № 7. С. 844 .
- Николаев С.Н., Веденеев А.С., Лузанов В.А. и др. // РЭ. 2021. Т.66. № 10. С.1024.
