Особенности неравновесного пиннинга волны зарядовой плотности в соединениях HoTe3 и TmTe3

Обложка

Цитировать

Полный текст

Открытый доступ Открытый доступ
Доступ закрыт Доступ предоставлен
Доступ закрыт Только для подписчиков

Аннотация

Исследовано сходство стекольных систем с пиннингом в соединениях с волной зарядовой плотности (ВЗП) TmTe3 и HoTe3. Измерены дифференциальные вольт-амперные характеристики в микромостиковых структурах, ориентированных вдоль направления скольжения ВЗП, при многоступенчатом изменении температур. Продемонстрировано изменяющееся поведение порогового поля в процессе изотермической выдержки в системе со скользящей ВЗП, с характерной релаксацией в логарифмическом масштабе времени. Обнаружено свойство, присущее стекольным системам – эффект памяти, что позволяет утверждать о необычной стекольной природе системы центров пиннинга ВЗП в данных материалах.

Полный текст

Доступ закрыт

Об авторах

Д. М. Воропаев

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)

Автор, ответственный за переписку.
Email: voropaev.dm@phystech.edu
Россия, ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009; Институтский пер., 9, Долгопрудный, Московская обл., 141701

А. В. Фролов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: voropaev.dm@phystech.edu
Россия, ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009

А. П. Орлов

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН; Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН

Email: voropaev.dm@phystech.edu
Россия, ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009; ул. Нагатинская, 16а, стр. 11, Москва, 115487

А. А. Синченко

Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН

Email: voropaev.dm@phystech.edu
Россия, ул. Моховая, 11, стр. 7, Москва, 125009

Список литературы

  1. Grüner G. // Rev. Modern Phys. 1988. V. 60. № 4. P. 1129.
  2. Monceau P. // Adv. Phys. 2012. V. 61. № 4. P. 325.
  3. Monceau P., Ong N. P., Portis A. M. et al. // Phys. Rev. Lett. 1976. V. 37. № 10. P. 602.
  4. Sinchenko A. A., Lejay P., Monceau P. // Phys. Rev. B. 2012. V. 85. № 24. P. 241104.
  5. Sinchenko A. A., Lejay P., Leynaud O., Monceau P. // Solid State Commun. 2014. V. 188. P. 67.
  6. Nowadnick E. A., Johnston S., Moritz B. et al. // Phys. Rev. Lett. 2012. V. 109. № 24. P. 246404.
  7. Hu B. F., Cheng B., Yuan R. H. et al. // Phys. Rev. B. 2014. V. 90. № 8. P. 085105.
  8. Iyeiri Y., Okumura T., Michioka C., Suzuki K. // Phys. Rev. B. 2003. V. 67. № 14. P. 144417.
  9. Ru N., Chu J. H., Fisher I. R. // Phys. Rev. B. 2008. V. 78. № 1. P. 012410.
  10. Zocco D. A., Hamlin J. J., Grube K. et al. // Phys. Rev. B. 2015. V. 91. № 20. P. 205114.
  11. Hamlin J. J., Zocco D. A., Sayles T. A. et al. // Phys. Rev. Lett. 2009. V. 102. № 17. P. 177002.
  12. Фролов А. В., Орлов А. П., Воропаев Д. П. и др. // Письма в ЖЭТФ. 2023. Т. 117. № 2. С. 171.
  13. Frolov A. V., Orlov A. P., Voropaev D. M. et al. // Appl. Phys. Lett. 2021. V. 118. № 25. P. 253102.
  14. Фролов А. В., Орлов А. П., Синченко А. А., Монсо П. // Письма в ЖЭТФ. Т. 109. № 3. С. 196.
  15. Frolov A. V., Orlov A. P., Hadj-Azzem A. et al. // Phys. Rev. B. 2020. V. 101. № 15. P. 155144.
  16. Jonason K., Nordblad P., Vincent E. et al. // Eur. Phys. J. B – Cond. Matt. Complex Systems. 2000. V. 13. № 1. P. 99.
  17. Jonason K., Vincent E., Hammann J. et al. // Phys. Rev. Lett. 1998. V. 81. № 15. P. 3243.
  18. Bag P., Baral P. R., Nath R. // Phys. Rev. B. 2018. V. 98. № 14. P. 144436.
  19. Di Masi E., Foran B., Aronson M. C., Lee S. // Chem. Mater. 1994. V. 6. № 10. P. 1867.
  20. Lefloch F., Hammann J., Ocio M., Vincent E. // Europhysics Lett. 1992. V. 18. № 7. P. 647.
  21. Доценко В. С. // Успехи физ. наук. 1993. Т. 163. № 6. С. 1.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать
2. Рис. 1. Оптическая фотография на просвет тонкого кристалла TmTe3.

Скачать (82KB)
Метаданные
3. Рис. 2. Оптическая фотография кристалла на подложке с контактами из золота.

Скачать (216KB)
Метаданные
4. Рис. 3. Оптическая фотография на просвет соединения HoTe3 многоконтактной мостиковой структуры, вырезанной при помощи ФИП в двух кристаллических направлениях.

Скачать (75KB)
Метаданные
5. Рис. 4. Дифференциальные вольт-амперные характеристики мостика с характерным порогом (на рисунке обозначены пороговые напряжения Vt), вследствие срыва и скольжения ВЗП, соответственно до (1) и после временной выдержки 138 ч (2). Кривые сдвинуты друг относительно друга по оси y.

Скачать (107KB)
Метаданные
6. Рис. 5. Эволюция значений порогового поля в соединении TmTe3: а – в процессе изотермической выдержки при температурах 210 (1) и 220 K (2), б – построенная в полулогарифмическом масштабе.

Скачать (186KB)
Метаданные
7. Рис. 6. Эффект памяти в TmTe3: а – эволюция порогового поля (кружочки) при различных температурах выдержки (сплошная линия); б – эволюция порогового поля при соединении секторов А, В и Д с одинаковой температурой 220 K.

Скачать (240KB)
Метаданные

© Российская академия наук, 2024