Аннотация
С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур семейства Ce4Pt14Si8-oP52 (a = 19.633 Å, b = 4.036 Å, c = 11.224 Å, V = 889.4 Å3), Ce6Pd8Sn12-oP52 (a = 27.701 Å, b = 4.614 Å, c = 9.371 Å, V = 1198.02 Å3). Для кристаллической структуры Ce4Pt14Si8-oP52 установлен 21 вариант выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (6 вариантов) и 3 (9 вариантов) и 3 (6 вариантов). Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6 = 0@ 6 (Ce2Pt2Si2) с симметрией g = -1, тетраэдров K4 = 0@ 4 (CePt2Si), колец K3 = 0@3(Pt2Si). Для кристаллической структуры Ce6Pd8Sn12-oP52 установлены 27 вариантов выделения кластерных структур с числом кластеров N = 2 (6 вариантов), 3 (11 вариантов) и 4 (10 вариантов). Рассмотрен вариант самосборки кристаллической структуры с участием образующих упаковки кластеров-прекурсоров: сдвоенных тетраэдров K6 = 0@ 6 (Ce2Pd2Sn2) с симметрией g = -1, колец K3 = 0@3(CePdSn), колец K3 = 0@3(PdSn2) и атомов-спейсеров Sn. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D структур Ce4Pt14Si8-oP52 и Ce6Pd8Sn12-oP52 из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → слой → каркас.