Polnost'yu opticheskaya skaniruyushchaya spektroskopiya antiperesecheniya elektronnykh i yadernykh spinovykh urovney v kristalle 4H-SiC

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Полностью оптическими методами зарегистрированы при комнатной температуре переходы в системе взаимодействующих электронных и ядерных спинов в центрах окраски c S = 3/2 в кристалле 4H-SiC с природным изотопным составом. Гигантские изменения фотолюминесценции в объеме ∼1 мкм3, при непрерывном и импульсном лазерном возбуждении, происходят в области антипересечения электронных и ядерных спиновых уровней. Обнаружено оптическое проявление переворота ядерного спина изотопа 29Si при сохранении проекции спина электрона. Все точки антипересечения спиновых подуровней, связанных сверхтонкими взаимодействиями, идентифицированы, что открывает возможности для наблюдения подобных эффектов в семействе квартетных спиновых центров в других политипах SiC.

Sobre autores

K. Likhachev

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

Email: kirilll28.1998@gmail.com
С.-Петербург, Россия

I. Veyshtort

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

M. Uchaev

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН; Университет ИТМО

С.-Петербург, Россия

A. Batueva

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

V. Yakovleva

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

A. Gurin

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

R. Babunts

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

P. Baranov

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН

С.-Петербург, Россия

Bibliografia

  1. P. G. Baranov, I. V. Il’in, E. N. Mokhov, M. V. Muzafarova, S. B. Orlinskii, and J. Schmidt, JETP Lett. 82, 441 (2005).
  2. P. G. Baranov, A. P. Bundakova, I. V. Borovykh, S. B. Orlinskii, R. Zondervan, and J. Schmidt, JETP Lett. 86, 202 (2007).
  3. P. G. Baranov, A. P. Bundakova, A. A. Soltamova, S. B. Orlinskii, I. V. Borovykh, R. Zondervan, R. Verberk, and J. Schmidt, Phys. Rev. B 83, 125203 (2011).
  4. W. F. Koehl, B. B. Buckley, F. J. Heremans, G. Calusine, and D. D. Awschalom, Nature 479, 84 (2011).
  5. A. N. Anisimov, R. A. Babunts, S. V. Kidalov, E. N. Mokhov, V. A. Soltamov, and P. G. Baranov, JETP Lett. 104, 82 (2016).
  6. D. Simin, V. A. Soltamov, A. V. Poshakinskiy, A. N. Anisimov, R. A. Babunts, D. O. Tolmachev, E. N. Mokhov, M. Trupke, S. A. Tarasenko, A. Sperlich, P. G. Baranov, V. Dyakonov, and G. V. Astakhov, Phys. Rev. X 6, 031014 (2016).
  7. M. Widmann, S.-Y. Lee, T. Rendler, N. T. Son, H. Fedder, S. Paik, L.-P. Yang, N. Zhao, S. Yang, I. Booker, A. Denisenko, M. Jamali, S. A. Momenzadeh, I. Gerhardt, T. Ohshima, A. Gali, E. Janzen, and J. Wrachtrup, Nat. Mater. 14, 164 (2015).
  8. P. G. Baranov, H.-J. von Bardeleben, F. Jelezko, and J. Wrachtrup, Magnetic Resonance of Semiconductors and Their Nanostructures: Basic and Advanced Applications, Springer Series in Materials Science, Springer-Verlag GmbH Austria (2017), v. 253, ch. 6.
  9. C. J. Cochrane, J. Blacksberg, M. A. Anders, and P. M. Lenahan, Sci. Rep. 6, 37077 (2016).
  10. H. Wieder and T. G. Eck, Phys. Rev. 153, 103 (1967).
  11. В. Г. Грачев, ЖЭТФ 92, 1834 (1987) [V. G. Grachev, Sov. Phys. JETP 65, 1029 (1987)].
  12. S. Stoll and A. Schweiger, J. Magn. Reson. 178(1), 42 (2006).
  13. V. A. Soltamov, B. V. Yavkin, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, A. G. Badalyan, V. Yu. Davydov, E. N. Mokhov, I. I. Proskuryakov, S. B. Orlinskii, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 115, 247602 (2015).
  14. Р. А. Бабунц, А. Н. Анисимов, И. Д. Бреев, А. С. Гурин, А. П. Бундакова, М. В. Музафарова, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, Письма в ЖЭТФ 114, 533 (2021).
  15. V. A. Soltamov, B. V. Yavkin, G. V. Mamin, S. B. Orlinskii, I. D. Breev, A. P. Bundakova, R. A. Babunts, A. N. Anisimov, and P. G. Baranov, Phys. Rev. B 104, 125205 (2021).
  16. D. V. Sosnovsky and K. L. Phys. Rev. B 103, 014403 (2021).
  17. A. Csóré, N. T. Son, and A. Gali, Phys. Rev. B 104, 035207 (2021).
  18. V. A. Soltamov, B. V. Yavkin, D. O. Tolmachev, R. A. Babunts, A. G. Badalyan, V. Yu. Davydov, E. N. Mokhov, I. I. Proskuryakov, S. B. Orlinskii, and P. G. Baranov, Phys. Rev. Lett. 115, 247602 (2015).
  19. Р. А. Бабунц, Ю. А. Успенская, А. П. Бундакова, Г. В. Мамин, Е. Н. Мохов, П. Г. Баранов, Письма в ЖЭТФ 118, 639 (2023).
  20. A. N. Anisimov, D. Simin, V. A. Soltamov, S. P. Lebedev, P. G. Baranov, G. V. Astakhov, and V. Dyakonov, Nature Scientific Rep orts 6, 33301 (2016); doi: 10.1038/srep33301.

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024