Mikrovolnovaya fotoprovodimost' besshchelevykh dirakovskikh fermionov v HgTe kvantovykh yamakh

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Проведено экспериментальное и теоретическое исследование микроволновой фотопроводимости системы бесщелевых дираковских фермионов в HgTe квантовых ямах критической толщины. Обнаружено, что фотопроводимость флуктуирует в зависимости от затворного напряжения в окрестности дираковской точки, а амплитуда флуктуаций растет с увеличением размера проводника и при уменьшении температуры. Предложено теоретическое объяснение микроволнового отклика. Оно базируется на предположении о существовании перколяционной двумерной фрактальной сетки геликоидальных краевых токовых состояний, возникающей в результате флуктуаций толщины ямы вблизи критического значения. Показано, что микрововолновая фотопроводимость такой сетки флуктуирует при изменении энергии Ферми, причем поведение амплитуды флуктуаций качественно согласуется с наблюдаемым в эксперименте.

Sobre autores

N. Kuz'min

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

A. Yaroshevich

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН

Email: jarosh@isp.nsc.ru
Новосибирск, Россия

L. Braginskiy

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

M. Entin

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

Z. Kvon

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

N. Mikhaylov

Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН; Новосибирский государственный университет

Новосибирск, Россия; Новосибирск, Россия

Bibliografia

  1. B. B¨uttner, C. X. Liu, G. Tkachov, E. G. Novik, C. Br¨une, H. Buhmann, E. M. Hankiewicz, P. Recher, B. Trauzettel, S. C. Zhang and L. W. Molenkamp, Nature Phys. 7, 418 (2011).
  2. Z. D. Kvon, S. N. Danilov, D. A. Kozlov, C. Zoth, N.N. Mikhailov, S .A. Dvoretskii, and S. D. Ganichev, JETP Lett. 94, 816 (2011).
  3. G. Tkachev, C. Thienel, V. Pinneker, B. B¨uttner, C. Br¨une, H. Buhmann, L. W. Molenkamp, and E. M. Hankiewicz, Phys. Rev. Lett. 106, 076802 (2011).
  4. D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, and S. A. Dvoretskii, JETP Lett. 96, 730 (2012).
  5. C. Zoth, P. Olbrich, P. Vierling, K.-M. Dantscher, V. V. Bel’kov, M. A. Semina, M. M. Glazov, L. E. Golub, D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, and S. D. Ganichev, Phys. Rev. B 90, 205415 (2014).
  6. D. A. Kozlov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, JETP Lett. 100, 724 (2014).
  7. A.M. Shuvaev, V. Dziom, N. N. Mikhailov, Z. D. Kvon, Y. Shao, D. N. Basov, and A. Pimenov, Phys. Rev. B 96, 155434 (2017).
  8. A. Shuvaev, V. Dziom, J. Gospodariˆc, E. G. Novik, A. A. Dobretsova, N. N. Mikhailov, Z. D. Kvon, and A. Pimenov, Nanomaterials 12, 2492 (2022).
  9. M. M. Mahmoodian and M. V. Entin, Phys. Status Solidi b 256, 1800652 (2019).
  10. M. M. Mahmoodian and M. V. Entin, Phys. Rev. B 101, 125415 (2020).
  11. G. M. Gusev, Z. D. Kvon, D. A Kozlov, E. B. Olshanetsky, M. V. Entin, N. N. Mikhailov, 2D Mater. 9, 015021 (2022).
  12. B. L. Al’tshuler and D. E. Khmel’nitskii, JETP Lett. 42, 359 (1985).
  13. D. Stauffer and A. Aharony, Introduction to Percolation Theory, 2nd revised edition, Taylor & Francis, London (2003), p. 52.
  14. A. M. Dykhne, Soviet Physics JETP 32, 63 (1971).
  15. M. V. Entin, Semiconductors 31, 829 (1997).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024