Отправить статью по E-mail 
PT-симметричная фотопроводимость, стимулированная микроволновым излучением, в гетероструктурах на основе топологической фазы xCdxTe
- Авторы: Чмырь С.Н.1, Казаков А.С.1, Галеева А.В.1, Долженко Д.Е.1, Артамкин А.И.1, Иконников А.В.1, Михайлов Н.Н.2, Дворецкий С.А.2, Банников М.И.3
-
Учреждения:
- МГУ имени М. В. Ломоносова
- Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
- Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
- Выпуск: Том 118, № 5-6 (9) (2023)
- Страницы: 341-345
- Раздел: Статьи
- URL: https://rjonco.com/0370-274X/article/view/663068
- DOI: https://doi.org/10.31857/S1234567823170068
- EDN: https://elibrary.ru/JZVJHB
- ID: 663068
Цитировать
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Только для подписчиков
Аннотация
В работе сообщается об обнаружении нового эффекта - PT-симметричной фотопроводимости при воздействии микроволнового излучения в гетероструктурах на основе толстых пленок Hg1 − xCdxTe в области составов, соответствующих топологической фазе, при том, что отдельно симметрия по магнитному полю (T-симметрия) и по расположению пар потенциальных контактов (P-симметрия) не сохраняются. В аналогичных гетероструктурах на основе тривиальной фазы Hg1 − xCdxTe микроволновая фотопроводимость является как P-, так и T-симметричной.
Об авторах
С. Н. Чмырь
МГУ имени М. В. Ломоносова
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
119991, Москва, Россия
А. С. Казаков
МГУ имени М. В. Ломоносова
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
119991, Москва, Россия
А. В. Галеева
МГУ имени М. В. Ломоносова
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
119991, Москва, Россия
Д. Е. Долженко
МГУ имени М. В. Ломоносова
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
119991, Москва, Россия
А. И. Артамкин
МГУ имени М. В. Ломоносова
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
119991, Москва, Россия
А. В. Иконников
МГУ имени М. В. Ломоносова
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
119991, Москва, Россия
Н. Н. Михайлов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
630090, Новосибирск, Россия
С. А. Дворецкий
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
630090, Новосибирск, Россия
М. И. Банников
Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН
Автор, ответственный за переписку.
Email: khokhlov@mig.phys.msu.ru
119991, Москва, Россия
Список литературы
- M. Z. Hasan and C. L. Kane, Rev. Mod. Phys. 82, 3045 (2010).
- Y. Ando, J. Phys. Soc. Jpn. 82, 102001 (2013).
- O. Breunig and Y. Ando, Nat. Rev. Phys. 4, 184 (2022).
- H. Plank and S. D. Ganichev, Solid State Electronics 147, 44 (2018).
- K.-M. Dantscher, D. A. Kozlov, P. Olbrich, C. Zoth, P. Faltermeier, M. Lindner, G. V. Budkin, S. A. Tarasenko, V. V. Bel'kov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, D. Weiss, B. Jenichen, and S. D. Ganichev, Phys. Rev. B 92, 165314 (2015).
- K.-M. Dantscher, D. A. Kozlov, M. T. Scherr, S. Gebert, J. B¨arenf¨anger, M. V. Durnev, S. A. Tarasenko, V. V. Bel'kov, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretsky, Z. D. Kvon, J. Ziegler, D. Weiss, and S. D. Ganichev, Phys. Rev B 95, 201103 (2017).
- S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, L. I. Ryabova, E. P. Skipetrov, L. V. Yashina, S. N. Danilov, S. D. Ganichev, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 5, 11540 (2015).
- A. V. Galeeva, S. G. Egorova, V. I. Chernichkin, M. E. Tamm, L. V. Yashina, V. V.Rumyantsev, S. V. Morozov, H. Plank, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Semicond. Sci. Technol. 31, 095010 (2016).
- A. V. Galeeva, I. V. Krylov, K. A. Drozdov, A. F. Knjazev, A. V. Kochura, A. P. Kuzmenko, V. S. Zakhvalinskii, S. N. Danilov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Beilstein J. Nanotechnol. 8, 167 (2017).
- A. Rogalski, Rep. Prog. Phys. 68, 2267 (2005).
- M. Weiler, Semiconductors and semimetals, ed. by R. Willardson and A. Beer, Academic press, N.Y. (1981), v. 16, p. 119.
- M. Orlita, D. M. Basko, M. S. Zholudev, F. Teppe, W. Knap, V. I. Gavrilenko, N. N. Mikhailov, S. A. Dvoretskii, P. Neugebauer, C. Faugeras, A.-L. Barra, G. Martinez, and M. Potemski, Nat. Phys. 10, 233 (2014).
- A. V. Galeeva, A. S. Kazakov, A. I. Artamkin, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 10, 2377 (2020).
- A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. S. Kazakov, A. V. Ikonnikov, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 11, 1587 (2021).
- A. S. Kazakov, A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. V. Ikonnikov, L. I. Ryabova, S. A. Dvoretsky, N. N. Mikhailov, M. I. Bannikov, S. N. Danilov, and D. R. Khokhlov, Sci. Rep. 11, 11638 (2021).
- A. V. Galeeva, A. I. Artamkin, A. S. Kazakov, S. N. Danilov, S. A. Dvoretskiy, N. N. Mikhailov, L. I. Ryabova, and D. R. Khokhlov, Beilsten J. Nanotechnol. 9, 1035 (2018).
- K. K. Svitashev, S. A. Dvoretskiy, Y. G. Sidorov, V. A. Shvets, A. S. Mardezhov, I. E. Nis, V. S. Varavin, V. Liberman, and V. G. Remesnik, Crystal Research and Technology 29(7), 931 (1994).
- V. S. Varavin, S. A. Dvoretskiy, D. G. Ikusov, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, G. Yu. Sidorov, Yu. G. Sidorov, P. N. Sizikov, and I. N. Uzhakov, Optoelectroncs, Instrumentation and Data Processing 49, 4 (2013).
- S. A. Dvoretsky, D. G. Ikusov, Z. D. Kvon, N. N. Mikhailov, V. G. Remesnik, R. N. Smirnov, Yu. G. Sidorov, and V. A. Shvets, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics 10, 47 (2007).
Дополнительные файлы
