Anomalous Temperature Dependences of the Band Gap and Thermal Expansion Coefficients in AgInSe2 Single Crystals

Мұқаба

Дәйексөз келтіру

Толық мәтін

Ашық рұқсат Ашық рұқсат
Рұқсат жабық Рұқсат берілді
Рұқсат жабық Тек жазылушылар үшін

Аннотация

Temperature dependences of lattice parameters for AgInSe2 single crystals have been used to determine their thermal expansion coefficients along the a and c crystallographic axes. The results demonstrate that the thermal expansion coefficients of the AgInSe2 single crystals in the a- and c-axis directions change sign at temperatures of 142 and 135 K, respectively. Analysis of the temperature-dependent band gap of AgInSe2 with the use of optical absorption spectra shows that its band gap increases with increasing temperature in the range 80–120 K and decreases in the range 120–300 K.

Авторлар туралы

A. Matiyev

Ingush State University; Millionshchikov State Oil Technical University

Хат алмасуға жауапты Автор.
Email: matiyev-akhmet@yandex.ru
386001, Magas, Ingushetia, Russia; 364051, Grozny, Chechnya, Russia

Әдебиет тізімі

  1. Матиев А.Х. Фазовые равновесия и электронно-оптические свойства систем Т1В3С–А1В3С (А–Сu, Ag; В–Iп, Gа; С–S, Se2): Дис. … докт. физ.-мат. наук. Ульяновск: УлГУ, 2005. 399 с.
  2. Matiev A.Kh., Uspazhiev R.T. et al. Phasing Diagrams of TlInSe2–CuInSe2 and TlInSe2–AgInSe2 Systems // Atl. Highlights Mater. Sci. Technol. 2019. V. 1. P. 249–252.
  3. El-Korashy A., Abdel-Rahim M.A., El-Zahed H. Optical Absorption Studies on AgInSe2 and AgInTe2 Films // Thin Solid Films. 1999. V. 338. P. 207–212.
  4. Santhosh M.C., Pradeep B. Formation and Properties of AgInSe2 Thin Films by Co-Evaporation // Vacuum. 2004. V. 72. № 4. P. 369–378.
  5. Mustafa H., Hunter D., Pradhan A.K., Roy A., Cui Y., Burger A. Synthesis Characterization of AgInSe2 for Application in Thin Film Solar Cells // Thin Solid Films. 2007. V. 515. P. 7001–7004.
  6. Абдуллаев М.А., Алхасов А.Б., Магомедова Дж.Х. Получение и свойства каскадного преобразователя солнечной энергии с двумя гетеропереходами CuInSe2/AgInSe2/CdS // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 3. С. 250–254. https://doi.org/10.7868/S0002337X14030014
  7. Ozaki S., Adachi S. Optical Properties and Electronic Band Structure of AgInSe2 // Phys. Status Solidi A. 2006. V. 203. P. 2919–2923.
  8. Kishigui K., Abe K., Murakami G., Shim Y., Yoshino K., Makita K. Study of Steady-State Photoluminescence of Crystals AgInSe2 // Thin Solid Films. 2008. V. 517. № 4. P. 1445–1448.
  9. Kanellis G., Kampas K. Far-Infrared Reflection Spectra of AgInSe2 and AgInTe2 // Mater. Res. Bull. 1978. V. 13. № 1. P. 9–12.
  10. Ohrendorf F.W., Haussler H. Lattice Dynamics of Chalcopyrite Type Compounds. Part I. Vibrational Frequencies // Cryst. Res. Technol. 1999. V. 34. № 3. P. 339–349.
  11. Поплавной А.С. Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках: Дис. … докт. физ.-мат. наук. Кемерово: КемГУ, 1982. 540 с.
  12. Ohrendorf F.W., Haeuseler H. Lattice Dynamics of Chalcopyrite Type Compounds. Part II. Calculations in a Short Range Force Field Model // Cryst. Res. Technol. 1999. V. 34. № 3. P. 351–362.
  13. Oshcherin B.N. Debye Temperature and Melting Point of Ternary Chalcopyrite Semiconductor A1B3C B A2B4C // Phys. Status Solidi A. 1976. V. 35. № 1. P. 35–41.
  14. Ощерин Б.Н., Кожина И.И. Прогнозирование коэффициентов термического расширения тройных полупроводников типа AIIBIVC и AIBIIIC. М.: ВИНИТИ, 1985. № 3573–85.
  15. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н. Температурная зависимость изменения ширины запрещенной зоны CuInSe2 и AgInSe2 // Тр. VII Междунар. конф. “Оптика, оптоэлектроника и технологии”. Ульяновск: УГУ, 2004. С. 32.
  16. Матиев А.Х., Успажиев Р.Т. Характер температурной зависимости ширины запрещенной зоны в кристаллах AgInSe2 // Матер. Всерос. науч.-практ. конф. с междунар. Участием “Актуальные проблемы естественных наук” (Грозный, 17.10.2020). Махачкала: АЛЕФ, 2020. С. 244-248. ISBN 978-5-00128-539-7
  17. Matiev A., Uspazhiev R. et al. Anomalous Character of Temperature Dependences of Some Parameters AgInSe2 // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 2020. V. 905. P. 28–29. https://doi.org/10.1088/1757-899X/905/1/012046
  18. Баррет Ч.С., Массальский Т.Б. Структура металлов. Ч. I. М.: Металлургия, 1984. С. 246–247.
  19. Neumann H. Nonstoichiometry and Electrical Properties of CuGaSe2 and AgInTe2 // Cryst. Res. Technol. 1983. V. 18. № 1. P. k8–k11.
  20. Бьюб Р. Фотопроводность твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 534 с.
  21. Long D.L. Energy Bands in Semiconductors. N. Y.: Intrerscience Pablic, 1968. 212 p. ISBN 0470544007, 9780470544006
  22. Фомин Н.В. Аномальная температурная зависимость ширины запрещенной зоны собственных полупроводников // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 3. С. 553–555.

Қосымша файлдар

Қосымша файлдар
Әрекет
1. JATS XML
Жүктеу
2.

Жүктеу (82KB)
Метадеректер
3.

Жүктеу (67KB)
Метадеректер
4.

Жүктеу (42KB)
Метадеректер

© А.Х. Матиев, 2023