Anomalous Temperature Dependences of the Band Gap and Thermal Expansion Coefficients in AgInSe2 Single Crystals

封面

如何引用文章

全文:

开放存取 开放存取
受限制的访问 ##reader.subscriptionAccessGranted##
受限制的访问 订阅存取

详细

Temperature dependences of lattice parameters for AgInSe2 single crystals have been used to determine their thermal expansion coefficients along the a and c crystallographic axes. The results demonstrate that the thermal expansion coefficients of the AgInSe2 single crystals in the a- and c-axis directions change sign at temperatures of 142 and 135 K, respectively. Analysis of the temperature-dependent band gap of AgInSe2 with the use of optical absorption spectra shows that its band gap increases with increasing temperature in the range 80–120 K and decreases in the range 120–300 K.

作者简介

A. Matiyev

Ingush State University; Millionshchikov State Oil Technical University

编辑信件的主要联系方式.
Email: matiyev-akhmet@yandex.ru
386001, Magas, Ingushetia, Russia; 364051, Grozny, Chechnya, Russia

参考

  1. Матиев А.Х. Фазовые равновесия и электронно-оптические свойства систем Т1В3С–А1В3С (А–Сu, Ag; В–Iп, Gа; С–S, Se2): Дис. … докт. физ.-мат. наук. Ульяновск: УлГУ, 2005. 399 с.
  2. Matiev A.Kh., Uspazhiev R.T. et al. Phasing Diagrams of TlInSe2–CuInSe2 and TlInSe2–AgInSe2 Systems // Atl. Highlights Mater. Sci. Technol. 2019. V. 1. P. 249–252.
  3. El-Korashy A., Abdel-Rahim M.A., El-Zahed H. Optical Absorption Studies on AgInSe2 and AgInTe2 Films // Thin Solid Films. 1999. V. 338. P. 207–212.
  4. Santhosh M.C., Pradeep B. Formation and Properties of AgInSe2 Thin Films by Co-Evaporation // Vacuum. 2004. V. 72. № 4. P. 369–378.
  5. Mustafa H., Hunter D., Pradhan A.K., Roy A., Cui Y., Burger A. Synthesis Characterization of AgInSe2 for Application in Thin Film Solar Cells // Thin Solid Films. 2007. V. 515. P. 7001–7004.
  6. Абдуллаев М.А., Алхасов А.Б., Магомедова Дж.Х. Получение и свойства каскадного преобразователя солнечной энергии с двумя гетеропереходами CuInSe2/AgInSe2/CdS // Неорган. материалы. 2014. Т. 50. № 3. С. 250–254. https://doi.org/10.7868/S0002337X14030014
  7. Ozaki S., Adachi S. Optical Properties and Electronic Band Structure of AgInSe2 // Phys. Status Solidi A. 2006. V. 203. P. 2919–2923.
  8. Kishigui K., Abe K., Murakami G., Shim Y., Yoshino K., Makita K. Study of Steady-State Photoluminescence of Crystals AgInSe2 // Thin Solid Films. 2008. V. 517. № 4. P. 1445–1448.
  9. Kanellis G., Kampas K. Far-Infrared Reflection Spectra of AgInSe2 and AgInTe2 // Mater. Res. Bull. 1978. V. 13. № 1. P. 9–12.
  10. Ohrendorf F.W., Haussler H. Lattice Dynamics of Chalcopyrite Type Compounds. Part I. Vibrational Frequencies // Cryst. Res. Technol. 1999. V. 34. № 3. P. 339–349.
  11. Поплавной А.С. Зонная структура, динамика решетки и явления переноса в некоторых сложных алмазоподобных полупроводниках: Дис. … докт. физ.-мат. наук. Кемерово: КемГУ, 1982. 540 с.
  12. Ohrendorf F.W., Haeuseler H. Lattice Dynamics of Chalcopyrite Type Compounds. Part II. Calculations in a Short Range Force Field Model // Cryst. Res. Technol. 1999. V. 34. № 3. P. 351–362.
  13. Oshcherin B.N. Debye Temperature and Melting Point of Ternary Chalcopyrite Semiconductor A1B3C B A2B4C // Phys. Status Solidi A. 1976. V. 35. № 1. P. 35–41.
  14. Ощерин Б.Н., Кожина И.И. Прогнозирование коэффициентов термического расширения тройных полупроводников типа AIIBIVC и AIBIIIC. М.: ВИНИТИ, 1985. № 3573–85.
  15. Матиев А.Х., Георгобиани А.Н. Температурная зависимость изменения ширины запрещенной зоны CuInSe2 и AgInSe2 // Тр. VII Междунар. конф. “Оптика, оптоэлектроника и технологии”. Ульяновск: УГУ, 2004. С. 32.
  16. Матиев А.Х., Успажиев Р.Т. Характер температурной зависимости ширины запрещенной зоны в кристаллах AgInSe2 // Матер. Всерос. науч.-практ. конф. с междунар. Участием “Актуальные проблемы естественных наук” (Грозный, 17.10.2020). Махачкала: АЛЕФ, 2020. С. 244-248. ISBN 978-5-00128-539-7
  17. Matiev A., Uspazhiev R. et al. Anomalous Character of Temperature Dependences of Some Parameters AgInSe2 // IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 2020. V. 905. P. 28–29. https://doi.org/10.1088/1757-899X/905/1/012046
  18. Баррет Ч.С., Массальский Т.Б. Структура металлов. Ч. I. М.: Металлургия, 1984. С. 246–247.
  19. Neumann H. Nonstoichiometry and Electrical Properties of CuGaSe2 and AgInTe2 // Cryst. Res. Technol. 1983. V. 18. № 1. P. k8–k11.
  20. Бьюб Р. Фотопроводность твердых тел. М.: ИЛ, 1962. 534 с.
  21. Long D.L. Energy Bands in Semiconductors. N. Y.: Intrerscience Pablic, 1968. 212 p. ISBN 0470544007, 9780470544006
  22. Фомин Н.В. Аномальная температурная зависимость ширины запрещенной зоны собственных полупроводников // ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 3. С. 553–555.

补充文件

附件文件
动作
1. JATS XML
下载
2.

下载 (82KB)
索引源数据
3.

下载 (67KB)
索引源数据
4.

下载 (42KB)
索引源数据

版权所有 © А.Х. Матиев, 2023