Отправить статью по E-mail 
Дефектная структура легированных оловом монокристаллов InAs, выращенных методом Чохральского
- Авторы: Санжаровский Н.А.1, Парфентьева И.Б.1, Югова Т.Г.1, Князев С.Н.1
-
Учреждения:
- АО “Гиредмет”
- Выпуск: Том 69, № 3 (2024)
- Страницы: 400-404
- Раздел: РЕАЛЬНАЯ СТРУКТУРА КРИСТАЛЛОВ
- URL: https://rjonco.com/0023-4761/article/view/673169
- DOI: https://doi.org/10.31857/S0023476124030041
- EDN: https://elibrary.ru/XOZLFO
- ID: 673169
Цитировать
Полный текст
Открытый доступ
Доступ предоставлен
Доступ платный или только для подписчиков
Аннотация
Обнаружены различные нарушения структурного совершенства монокристаллов арсенида индия InAs, сильно легированных Sn, которые зависят от концентрации Sn в различных участках кристалла. При низких концентрациях носителей заряда (электронов) ~1.5 × 1018 см–3 в начальных участках кристалла наблюдается необычное кольцеобразное распределение дислокаций в поперечном сечении. Плотность дислокаций при этом была в диапазоне (0.1–1.0) × 104 см–2. При концентрации носителей заряда более 4.0 × 1018 см–3 в конечных участках кристаллов наблюдаются включения индия, а также “вицинальные холмики”. Плотность дислокаций в конечных сечениях кристаллов, в которых упомянутые выше дефекты не наблюдаются, была в диапазоне (0.4–2.1) × 104 см–2.
Полный текст
Об авторах
Н. А. Санжаровский
АО “Гиредмет”
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва
И. Б. Парфентьева
АО “Гиредмет”
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва
Т. Г. Югова
АО “Гиредмет”
Автор, ответственный за переписку.
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва
С. Н. Князев
АО “Гиредмет”
Email: P_Yugov@mail.ru
Россия, Москва
Список литературы
- Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А. // Физика и техника полупроводников. 2019. Т. 53. С. 147. https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47090.8799
- Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А. и др. // Физика и техника полупроводников. 2008. Т. 42. Вып. 6. С. 26. https://doi.org/10.1134/S1063782608060018 https://www.shalomeo.com/Wafers-and-Substrates/InAs-Semi-Growth/product-936.html
- Abrachams M.S., Buiocchi C.J. // J. Appl. Phys. 1965. V. 36. P. 2855. https://doi.org/10.1063/1.1714594
- Шифрин С.С., Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Кристаллография. 1982. Т. 27. Вып. 4. С. 712.
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 5. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. // Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлург, 1984. С. 188. https://www.studmed.ru/milvidskiy-m-g-osvenskiy-v-b-strukturnye-defekty-v-monokristallah-poluprovodnikov_6a780cf3b60.html
Дополнительные файлы
