Том 49, № 5 (2023)

С помощью компьютерных методов (пакет программ ToposPro) осуществлен комбинаторно-топологический анализ и моделирование самосборки кристаллических структур Y₂₀Cu₂₀Mg₆₄-oC104 (a = 4.136 Å, b = 19.239 Å, c = 29.086 Å, V = 2314.45 ų, Cmcm), Y₂₀Cu₂₀Mg₅₂-oC92 (a = 4.097 Å, b = 19.279 Å, c = 25.790 Å, V = 2037.30 ų, Cmcm), Y₃(NiAl₃)Ge₂-hP9 (a = b = 6.948 Å, c = 4.156 Å, V = 173.78 5 ų, P-62m). Для кристаллической структуры Y₂₀Cu₂₀Mg₆₄-oC104 установлены 52 варианта кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4, и 5. Определены 4 кристаллографически независимые структурные единицы в виде тетраэдра K4 = 0@CuMg₃, тетраэдра K4 = 0@YMg₃, тетраэдра K4 = 0@YCuMg₂, и супратетраэдра K6 = 0@YCu₂Mg₃. Рассмотрен вариант самосборки с участием гексамеров из 6 связанных структурных единиц (K4B + K4C)(K4A + K6) (K4B + K4C). Для кристаллической структуры Y₂₀Cu₂₀Mg₆₄–oC92 установлены 27 вариантов кластерного представления 3D атомной сетки с числом структурных единиц 3, 4, и 5. Определены 3 кристаллографически независимые структурные единицы в виде тетраэдр K4 = = 0@YCuMg₂, кластер K6 = 0@6(Y₂Mg₄) в виде сдвоенных тетраэдров YMg₃, и 9-атомный супратетраэдр K9 = Mg@Y₂Cu₂Mg₄ состоящий из двух тетраэдров YMg₂Cu и двух тетраэдров YMg₃. Рассмотрен вариант самосборки с участием тримеров из 3 структурных единиц K4+ K6+ K9. Для кристаллической структуры Y₃(NiAl₃)Ge₂-hP9 установлены 8 вариантов разложения 3D атомной сетке на кластерные структуры с участием двух структурных единиц. Рассмотрен вариант самосборки с участием образующих упаковки 7-атомных кластеров-прекурсоров K7 = 0@Y₃(NiAl₃) с участием атомов-спейсеров Ge. Реконструирован симметрийный и топологический код процессов самосборки 3D-структур из кластеров-прекурсоров в виде: первичная цепь → → слой → каркас.

В работе обсуждается технология формирования фоторезистивных соединений на основе композита из селенида и селенита свинца, которые были сформированы путем окисления поликристаллических пленок n-PbSe. Механизм модификации поверхности пленок n-PbSe исследован с помощью сканирующего электронного микроскопa (СЭМ) Zeiss Merlin. Представлены результаты механизма окисления n‑PbSe, вместе с их более ранними публикациями, исследована их согласованность между собой. Предложена теоретическая модель (гипотеза) потенциального профиля фоточувствительного гетероперехода, в которой каждый кристалл пленки n-PbSe во время окисления в атмосфере сухого воздуха образует на поверхности сплошную оболочку p-PbSeO₃. В данной работе рассмотрена гипотеза о структурной модели фоточувствительного гетероперехода, предложенная другими авторами, на основании механизма окисления, предложенного нами, практически подтверждена в настоящей работе.

Кристаллы нового гибридного органо-неорганического бората K[B₅O₆(OH)₄][B(OH)₃]₂(H₂O)(C₁₀H₂₀O₅)₂ (1) получены из водного раствора и охарактеризованы методами монокристальной рентгеновской дифракции и инфракрасной спектроскопии. Соединение 1 кристаллизуется в триклинной сингонии (a = 10.1567(4), b = 11.9941(6), c = 17.1893(9) Å, α =75.280(4), β = 79.406(4), γ = = 88.531(4)°, V = 1990.270369 ų, пр. гр. P-1; R₁ = 0.058). В структуре присутствуют группы [K(C₁₀H₂₀O₅)]⁺, которые ведут себя как “гидрофобные” темплаты для неорганической части, состоящей из анионов \({{{\text{B}}}_{{\text{5}}}}{{{\text{O}}}_{{\text{6}}}}\left( {{\text{OH}}} \right)_{4}^{ - }\) и нейтральных молекул B(OH)₃.

В данной работе разработана методика армирования компаунда на основе бутадиен-стирольного термоэластопласта. Исследованы механические характеристики армированных компаундов. Проведен сравнительный анализ различных методов введения нанонаполнителя в полимерную матрицу. Разработанная методика показывает прирост прочности композиции при сжатии на 50%, а также прочности на растяжение на 20%.

Рассмотрены особенности формирования скрытого свинцово-силикатного изолирующего слоя в кремниевых подложках. Для этого в них последовательно имплантировались ионы молекулярного кислорода и свинца в атомарном соотношении 75 : 1, затем производились отжиги при температуре 1150°C в среде сухого кислорода. Распределение имплантированных ионов в экспериментальных образцах регистрировалось методом вторичной ионной масс-спектрометрии. Показано, что скрытый изолятор формируется в процессе спинодального распада твердого раствора SiO_x–PbO_x в виде трехслойной структуры. Средняя ее часть представляет собой диоксид кремния, легированный ионами свинца, боковые части состоят из свинцово-силикатной фазы. Для анализа профиля распределения свинца предложена модель релаксационной диффузии.