Magnetosoprotivlenie i simmetriya dvumernogo elektronnogo gaza geterostruktur AlGaN/AlN/GaN

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Физические свойства двумерного электронного газа, локализованного в слое GaN вблизи интерфейса AlN/GaN гетероструктур AlGaN/AlN/GaN, изучаются не одно десятилетие. По сложившимся представлениям его симметрия совпадает с симметрией несимморфной пространственной группы C64v в объеме GaN. Последнее, однако, неверно. В самом деле, единственный составной элемент этой группы – вращение системы на 120◦ вокруг оси [0001], направленной по нормали к плоскости интерфейса, с одновременным сдвигом вдоль нее на полпериода кристаллической решетки GaN – для двумерного газа запрещен потенциалом конфайнмента, который, следовательно, понижает его симметрию до симметрии тригональной точечной группы C3v. Настоящая работа посвящена подтверждению этого факта результатами расчетов из первых принципов методом функционала плотности и данными электрофизических экспериментов.

Sobre autores

N. Chumakov

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: Chumakov_NK@nrcki.ru
Москва, Россия

A. Andreev

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Москва, Россия

I. Belov

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Москва, Россия

A. Davydov

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Москва, Россия

I. Ezubchenko

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Москва, Россия

L. Lev

Московский физико-технический институт

Долгопрудный, Россия

L. Morgun

Физический институт им. П. Н. Лебедева РАН

Москва, Россия

S. Nikolaev

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Москва, Россия

I. Chernykh

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Москва, Россия

S. Shabanov

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Москва, Россия

V. Strokov

Swiss Light Source, Paul Scherrer Institute

Villigen, Switzerland

V. Valeev

Национальный исследовательский центр “Курчатовский институт”

Email: Valeev_VG@nrcki.ru
Москва, Россия

Bibliografia

  1. J. Fu, P. H. Penteado, D. R. Candido, G. J. Ferreira, D. P. Pires, E. Bernardes, and J. C. Egues, Phys. Rev. B 101, 134416 (2020).
  2. L. L. Lev, I. O. Maiboroda, M. A. Husanu, E. S. Grichuk, N. K. Chumakov, I. S. Ezubchenko, I. A. Chernykh, X. Wang, B. Tobler, T. Schmitt, M. L. Zanaveskin, V. G. Valeyev, and V. N. Strocov, Nat. Commun. 9(1), 2653 (2018).
  3. N. K. Chumakov, I. S. Ezubchenko, I. A. Chernykh, I. V. Belov, M. L. Zanaveskin, L. L. Lev, V. N. Strocov, and V. G. Valeyev, VIII Euro-Asian Symposium “Trends in MAGnetism” EASTMAG-2022, Book of abstracts, Kazan, Russia (2022), v. II, p. 305.
  4. Е. Л. Ивченко, Симметрия в физике твердого тела, https://solid.phys.spbu.ru/images/Ivch_lec_asp.pdf.
  5. K. V. Samokhin, Ann. Phys. 324, 2385 (2009).
  6. G. Kresse and J. Hafner, Phys. Rev. B 47, 558 (1993).
  7. G. Kresse and J. Furthmuller, Comput. Mater. Sci. 6, 15 (1996)
  8. G. Kresse and J. Furthmuller, Phys. Rev. B 54, 11169 (1996).
  9. P. E. Blochl, Phys. Rev. B 50, 17953 (1994)
  10. D. Hobbs, G. Kresse, and J. Hafner, Phys. Rev. B 62, 11556 (2000).
  11. G. Kresse and J. Hafner, Journ. Phys: Cond. Matt. 6, 8245 (1994).
  12. O. K. Andersen, Phys. Rev. B 12, 3060 (1975)
  13. D. M. Ceperley and B. J. Alder, Phys. Rev. Letts. 45, 566 (1980).
  14. L. Yang, J. Wang, T. Wang, M. Wu, P. Wang, D. Wang, X. Yang, F. Xu, W. Ge, X. Wu, X. Wang, and B. Shen, Appl. Phys. Lett. 115(15), 152107 (2019).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024