Proyavlenie posloevoy lokalizatsii singulyarnostey van Khova v tunnelirovanii mezhdu listami dvukhsloynogo grafena

Capa

Citar

Texto integral

Acesso aberto Acesso aberto
Acesso é fechado Acesso está concedido
Acesso é fechado Somente assinantes

Resumo

Исследовано туннелирование между двумя листами двухслойного графена, кристаллические решетки которых повернуты относительно друг друга на небольшой угол. Обнаружено аномальное поведение туннельной проводимости, обусловленное проявлением сингулярностей ван Хова на краях зоны проводимости и валентной зоны, пространственно локализованных в различных монослоях двухслойного графена.

Sobre autores

E. Vdovin

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Email: vdov62@yandex.ru
Черноголовка, Россия

Yu. Khanin

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Черноголовка, Россия

S. Morozov

Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН

Черноголовка, Россия

M. Kashchenko

Центр фотоники и двумерных материалов, Московский физико-технический институт; Лаборатория физики программируемых функциональных материалов, Центр нейрофизики и нейроморфных технологий

Долгопрудный, Россия; Москва, Россия

A. Sokolik

Институт спектроскопии РАН

Москва, Россия

K. Novoselov

Institute for Functional Intelligent Materials, National University of Singapore

Singapore

Bibliografia

  1. E. McCann, Phys. Rev. B 74, 161403(R) (2006).
  2. E. McCann and V. I. Fal’ko, Phys. Rev. Lett. 96, 086805 (2006).
  3. H. Min, B. Sahu, S.K. Banerjee, and A.H. MacDonald, Phys. Rev. B 75, 155115 (2007).
  4. E.K. Yu, D.A. Stewart, and S. Tiwari, Phys. Rev. B 77, 195406 (2008).
  5. A. Ramasubramaniam, Nano Lett. 11(3), 1070 (2011).
  6. T. Ohta, A. Bostwick, Th. Seyller, K. Horn, and E. Rotenberg, Science 313(5789), 951 (2006).
  7. K. Su Kim, T.-H. Kim, A.L. Walter, Th. Seyller, H.W. Yeom, E. Rotenberg, and A. Bostwick, Phys. Rev. Lett. 110, 036804 (2013)
  8. F. Joucken, C. Bena, Zh. Ge, E.A. Quezada-Lopez, F. Ducastelle, T. Tanagushi, K. Watanabe, and J. Velasco, Jr., Phys. Rev. Lett. 127, 106401 (2021).
  9. S.C. de la Barrera, S. Aronson, Zh. Zheng, K. Watanabe, T. Taniguchi, Q. Ma, P. Jarillo-Herrero, and R. Ashoori, Nat. Phys. 18, 771 (2022).
  10. A.M. Seiler, F.R. Geisenhof, F.Winterer, K.Watanabe, T. Taniguchi, T. Xu, F. Zhang, and R.Th. Weitz, Nature 608, 298 (2022).
  11. T. L.M. Lane, J.R. Wallbank, and V. I. Fal’ko, Appl. Phys. Lett. 107, 203506 (2015).
  12. J. J.P. Thompson, D. J. Leech, and M. Mucha-Kruczynski, Phys. Rev. B 99, 085420 (2019).
  13. J. P. Eisenstein, T. J. Gramila, L.N. Pfeiffer, and K.W. West, Phys. Rev. B 44, 6511 (1991).
  14. L. Zheng and A.H. MacDonald, Phys. Rev. B 47, 10619 (1993).
  15. Y. Zhang, T.-T. Tang, C. Girit, Zh. Hao, M.C. Martin, A. Zettl, M. F. Crommie, Y.R. Shen, and F. Wang, Nature 459, 820 (2009).
  16. K. Lee, B. Fallahazad, J. Xue, D.C. Dillen, K. Kim, T. Taniguchi, K. Watanabe, and E. Tutuc, Science 345(6192), 58 (2014).
  17. E. Icking, L. Banszerus, F. Wortche, F. Volmer, Ph. Schmidt, C. Steiner, S. Engels, J. Hesselmann, M. Goldsche, K. Watanabe, T. Taniguchi, Ch. Volk, B. Beschoten, and Ch. Stampfer, Adv. Electron. Mater. 8(11), 2200510 (2022).

Arquivos suplementares

Arquivos suplementares
Ação
1. JATS XML
Baixar

Declaração de direitos autorais © Российская академия наук, 2024