Знакопеременная девиация одночастичной ВАХ грязного SIN-контакта

В области низких температур и напряжений: 0 6 |eV | ≪ T ≪ ∆0 получена формула для одночастичной вольт-амперной характеристики J(V, T, c, β) “грязного” (малые концентрации одинаковых немагнитных примесей в I-слое) SIN-контакта (S – сверхпроводник, I – неупорядоченный изолятор, N – нормальный металл), где: e – модуль заряда электрона, ∆0 – сверхпроводящая щель в S-береге контакта при температуре T = 0, V – напряжение на контакте, c ≪ 1 – безразмерная концентрация примесей в I-слое, β = (ε0 − µ)/∆0 – безразмерная девиация актуального для данной задачи однопримесного электронного энергетического уровня ε0 (на одинаковых примесях в I-слое) относительно уровня µ электронного химпотенциала контакта. Показано, что присутствие случайных узкозонных квантовых закороток в неупорядоченном I-слое приводит в некоторой ограниченной области Ωd(c, β) на плоскости параметров (c, β) к аномально сильной знакопеременной девиации одночастичной вольт-амперной характеристики грязного SIN-контакта относительно одночастичной вольт-амперной характеристики этого же грязного контакта, вычисляемой по формуле существующей теории. На численном примере продемонстрировано, что относительная девиация одночастичной ВАХ для характерных значений параметров грязного SIN-контакта в области Ωd(c, β) может достигать нескольких порядков, что обеспечивает возможность экспериментального проявления этого эффекта. Обсуждены условия применимости рассмотренной модели грязного SIN-контакта, предложена принципиальная схема соответствующего эксперимента.