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Зайцев, С. И.
| Edição | Seção | Título | Arquivo |
| Volume 54, Nº 4 (2025) | ЛИТОГРАФИЯ | Perspectives of electron-beam and ion-beam lithography development in Russia |
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Palavras-chave
bipolar transistor
dissociation
etching
fluorine atoms
gas temperature
ionization
kinetics
magnetron sputtering
mechanism
memristor
modeling
plasma
polymerization
powerful LDMOS
quantum dot
radiation intensity
reduced electric field strength
resistive switching
silicon
specific power
testing
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Volume 54, Nº 4 (2025)
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dissociation
etching
fluorine atoms
gas temperature
ionization
kinetics
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quantum dot
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reduced electric field strength
resistive switching
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