| Выпуск |
Название |
Файл |
| Том 53, № 6 (2024) |
III-нитридные hemt гетероструктуры с ультратонким барьером AlN: получение и экспериментальное применение |
|
|
Гусев А.С., Султанов А.О., Рыжук Р.В., Неволина Т.Н., Цунваза Д., Сафаралиев Г.К., Каргин Н.И.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Анализ механизмов рассеяния носителей в AlN/GaN HEMT-гетероструктурах с ультратонким AlN барьером |
|
|
Гусев А.С., Султанов А.О., Катков А.В., Рындя С.М., Сигловая Н.В., Клочков А.Н., Рыжук Р.В., Каргин Н.И., Борисенко Д.П.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Анализ неоднородностей DpHEMT-структуры на основе GaAs/In0.53Ga0.47As после нейтронного воздействия |
|
|
Голиков О.Л., Кодочигов Н.Е., Оболенский С.В., Пузанов А.С., Тарасова Е.А., Хазанова C.В.
|
| Том 53, № 4 (2024) |
Аппроксимация спектра поглощения фосфида индия в контексте моделирования процесса очувствления |
|
|
Макаренко Ф.В., Зольников В.К., Заревич А.И., Заленская Н.Ю., Полуэктов А.В.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Биполярный транзистор c туннельным пробоем |
|
|
Рехвиашвили С.Ш., Гаев Д.С.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Биполярный транзистор с оптической накачкой |
|
|
Альтудов Ю.К., Гаев Д.С., Псху А.В., Рехвиашвили С.Ш.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Быстрый электрохимический микронасос для портативного модуля доставки лекарств |
|
|
Уваров И.В., Шлепаков П.С., Абрамычев А.М., Световой В.Б.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Влияние граничных условий на квантовый магнетотранспорт в тонкой пленке |
|
|
Кузнецова И.А., Савенко О.В., Романов Д.Н.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Влияние деградации горячих носителей на характеристики высоковольтного КНИ транзистора с большой областью дрейфа |
|
|
Новоселов А.С., Масальский Н.В.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Влияние дефектов изготовления и электрических шумов на эволюцию зарядового кубита с оптическим управлением |
|
|
Цуканов А.В., Катеев И.Ю.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Влияние добавки водорода на электрофизические параметры и спектры излучения плазмы тетрафторметана |
|
|
Мурин Д.Б., Граждян А.Ю., Чесноков И.А., Гогулев И.А.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Влияние лазерного излучения на функциональные свойства приборных МОП-структур |
|
|
Рехвиашвили С.Ш., Гаев Д.С.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Влияние материала электродов на электроформовку и свойства мемристоров на основе открытых “сэндвич”-структур металл–SiO2–металл |
|
|
Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Наумов В.В., Горлачев Е.С.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Влияние мощности магнетронного распыления на осаждение пленок ITO при комнатной температуре |
|
|
Саенко А.В., Вакулов З.Е., Климин В.С., Билык Г.Е., Малюков С.П.
|
| Том 53, № 2 (2024) |
Влияние примеси никеля на эксплуатационные параметры кремниевого солнечного элемента |
|
|
Кенжаев З.Т., Зикриллаев Н.Ф., Оджаев В.Б., Исмайлов К.А., Просолович В.С., Зикриллаев Х.Ф., Ковешников С.В.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Влияние структурных дефектов на электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов |
|
|
Ковальчук Н.С., Ластовский С.Б., Оджаев В.Б., Петлицкий А.Н., Просолович В.С., Шестовский Д.В., Явид В.Ю., Янковский Ю.Н.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
ВНИМАНИЮ АВТОРОВ |
|
|
|
| Том 53, № 2 (2024) |
Временные изменения механизмов токопрохождения в легированном эрбием пористом кремнии |
|
|
Хамзин Э.Х., Услин Д.А.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Закономерности формирования подвижных локализованных магнитных конфигураций и технология изготовления структур для реализации элементов магнитной памяти |
|
|
Проказников А.В., Папорков В.А., Чириков В.А., Евсеева Н.А.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Запись поляризационного состояния фотона в коррелированные электронные состояния массива квантовых точек |
|
|
Цуканов А.В., Катеев И.Ю.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Защитные свободновисящие пленки для установок проекционной литографии экстремального ультрафиолетового диапазона |
|
|
Зуев С.Ю., Лопатин А.Я., Лучин В.И., Салащенко Н.Н., Цыбин Н.Н., Чхало Н.И.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Зондовая и спектральная диагностика плазмы газовой среды: BCl3–Cl2 |
|
|
Мурин Д.Б., Чесноков И.А., Гогулев И.А., Гришков А.Э.
|
| Том 52, № 2 (2023) |
Измерения на РЭМ размеров рельефных структур в технологическом процессе производства микросхем |
|
|
Новиков Ю.А., Филиппов М.Н.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Искусственный интеллект никогда не заменит полностью человека |
|
|
Абрамов И.И.
|
| Том 52, № 2 (2023) |
Исследование возможности оптимизации взаимодействия NV-центров и фотонов путем изменения формы микрорезонаторов |
|
|
Цуканов А.В., Катеев И.Ю.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Исследование мемристорного эффекта в кроссбар-архитектуре для нейроморфных систем искусственного интеллекта |
|
|
Полякова В.В., Саенко А.В., Коц И.Н., Ковалев А.В.
|
| Том 52, № 2 (2023) |
Исследование оптических свойств сверхтонких пленок на основе силицида металлов |
|
|
Керимов Э.А.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Исследование проводимости углеродных нанотрубок, осажденных на подложку на основе силицида иридия-кремний |
|
|
Керимов Э.А.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Исследование сенсорных свойств упорядоченных массивов наностержней ZnO для детектирования УФ-излучения |
|
|
Евстафьева М.В., Князев М.А., Корепанов В.И., Редькин А.Н., Рощупкин Д.В., Якимов Е.Е.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Исследование способов синтеза схем встроенного контроля на основе логической коррекции сигналов с применением равномерных разделимых кодов |
|
|
Ефанов Д.В., Елина Е.И.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Исследование фотоприемников с барьерами Шоттки на основе контакта IRSI–SI |
|
|
Керимов Э.А.
|
| Том 53, № 4 (2024) |
Исследование фотоэлектрических параметров неорганических солнечных элементов на основе Cu2O и CuO |
|
|
Саенко А.В., Билык Г.Е., Смирнов В.А.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Исследование чувствительной области МОП-транзистора к воздействию вторичных частиц, возникающих вследствие ионизирующего излучения |
|
|
Глушко А.А., Морозов С.А., Чистяков М.Г.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Исследования в условиях плазмы электронного циклотронного резонанса с применением резонанса на второй гармонике циклотронной частоты |
|
|
Ковальчук А.В., Шаповал С.Ю.
|
| Том 53, № 4 (2024) |
Квантовый вентиль CNOT на пространственных фотонных кубитах с резонансным электрооптическим контролем |
|
|
Цуканов А.В., Катеев И.Ю.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Кинетика электромиграционного массопереноса в интерфейсных элементах микро- и наноэлектроники в зависимости от прочности тонкопленочных соединений |
|
|
Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Комплексное исследование неравномерности свойств тонкопленочного катода LiCoO2, изготовленного методом ВЧ-магнетронного распыления |
|
|
Курбатов С.В., Рудый А.С., Наумов В.В., Мироненко А.А., Савенко О.В., Смирнова М.А., Мазалецкий Л.А., Пухов Д.Э.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Компьютерное исследование влияния неоднородностей высокоомного слоя на резистивные переключения в структуре на основе микрокристалла селенида висмута |
|
|
Сироткин В.В.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Контактно-транспортные и автоэмиссионные свойства низкоразмерных 2D углеродных гетероструктур |
|
|
Яфаров Р.К., Шабунин Н.О.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Контроль параметров травления кремния в вч плазме CHF3 методом оптической эмиссионной спектроскопии |
|
|
Мурин Д.Б., Чесноков И.А., Пивоваренок С.А., Ефремов А.М.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Концентрация атомов фтора и кинетика реактивно-ионного травления кремния в смесях CF4 + O2, CHF3 + O2 и C4F8 + O2 |
|
|
Ефремов А.М., Бобылев А.В., Kwon K.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Краткий обзор типологии нейронов и анализ использования мемристорных кроссбаров |
|
|
Токарев А.А., Хорин И.А.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Математическое моделирование системы жидкостного охлаждения микропроцессора |
|
|
Андреев А.И., Семенов А.Е.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Материалы для межсоединений интегральных схем с проектными нормами менее 5 нм |
|
|
Рогожин А.Е., Глаз О.Г.
|
| Том 53, № 4 (2024) |
Методика изготовления фоточувствительных элементов на основе PtSi |
|
|
Керимов Э.А.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Механизмы перераспределения углеродных загрязнений в пленках, сформированных методом атомно-слоевого осаждения |
|
|
Фадеев А.В., Мяконьких А.В., Смирнова Е.А., Симакин С.Г., Руденко К.В.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Механизмы транспорта и полевой эмиссии электронов в 2D некристаллических углеродных гетероструктурах с квантовым барьером |
|
|
Красников Г.Я., Бокарев В.П., Теплов Г.С., Яфаров Р.К.
|
| Том 53, № 4 (2024) |
Микроструктура островковых пленок Al на Si(111) при магнетронном напылении: влияние температуры подложки |
|
|
Ломов А.А., Захаров Д.М., Тарасов М.А., Чекушкин А.М., Татаринцев А.А., Васильев А.Л.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Многоуровневые мемристивные структуры на основе эпитаксиальных пленок YBa2Cu3O7 – δ |
|
|
Тулина Н.А., Россоленко А.Н., Борисенко И.Ю., Иванов А.А.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Моделирование адсорбции и диффузии атомов лития на дефектном графене для Li-ионной батареи |
|
|
Асадов М.М., Маммадова С.О., Гусейнова С.С., Мустафаева С.Н., Лукичев В.Ф.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Моделирование вертикального баллистического квантово-барьерного полевого транзистора на основе нелегированной AlxGa1 – xAs квантовой нанопроволоки |
|
|
Поздняков Д.В., Борздов А.В., Борздов В.М.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Моделирование влияния решеточных дефектов на работу разделения соединенных материалов |
|
|
Махвиладзе Т.М., Сарычев М.Е.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Моделирование дефектной структуры суперъячейки и явления переноса в TlInTe2 |
|
|
Асадов М.М., Мустафаева С.Н., Гусейнова С.С., Лукичев В.Ф.
|
| Том 53, № 2 (2024) |
Моделирование диффузии атомов в многокомпонентных полупроводниках в неупорядоченном состоянии |
|
|
Асадов С.М.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Моделирование кремниевых полевых конических GAA-нанотранзисторов со стековым SiO2/HfO2 подзатворным диэлектриком |
|
|
Масальский Н.В.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Моделирование кремниевых полевых с полностью охватывающим затвором нанотранзисторов с высоким k подзатворного диэлектрика |
|
|
Масальский Н.В.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Моделирование особенностей работы мемристивного кроссбар-массива в нейроморфных электронных модулях |
|
|
Дудкин А.П., Рындин Е.А., Андреева Н.В.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Моделирование системы наноантенн, расположенных в канале TSV, в качестве системы приема-передачи данных |
|
|
Серов Д.А., Хорин И.А.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Моделирование структурых свойств и явления переноса в легированных многокомпонентных 2D полупроводниках |
|
|
Асадов C.М., Мустафаева С.Н., Маммадов А.Н., Лукичев В.Ф.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Моделирование физико-химических и электронных свойств литийсодержащего 4Н-SiC и бинарных фаз системы Si–C–Li |
|
|
Асадов М.М., Гусейнова С.С., Мустафаева С.Н., Маммадова С.О., Лукичев В.Ф.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Моделирование электронных свойств М-легированных суперъячеек Li4Ti5O12—М (М = Zr, Nb) с моноклинной структурой для литий-ионных аккумуляторов |
|
|
Асадов М.М., Маммадова С.О., Мустафаева С.Н., Гусейнова С.С., Лукичев В.Ф.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Молекулярное наслаивание аддитивного слоя диоксида кремния на анодированные оксиды тантала и ниобия |
|
|
Ежовский Ю.К., Михайловский С.В.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Морфология поверхности и спектры фотолюминесценции псевдоморфных сверхрешеток {InGaAs/GaAs} на подложках GaAs (100), (110) и (111)A |
|
|
Климов Е.А., Пушкарёв С.С., Клочков А.Н., Можаева М.О.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
МЭМС-переключатель на основе кантилевера с увеличенным контактным усилием |
|
|
Белозеров И.А., Уваров И.В.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Нанофотонный светоделитель на квантовых точках с ферстеровской связью |
|
|
Цуканов А.В., Катеев И.Ю.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
Нейроморфные системы: приборы, архитектура и алгоритмы |
|
|
Фетисенкова К.А., Рогожин А.Е.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Новая концепция развития высокопроизводительной рентгеновской литографии |
|
|
Чхало Н.И.
|
| Том 53, № 2 (2024) |
Новый подход к моделированию радиационных эффектов низкой интенсивности в биполярных микросхемах |
|
|
Чумаков А.И.
|
| Том 52, № 5 (2023) |
О влиянии малых добавок F2, H2 и HF на концентрации активных частиц в плазме тетрафторметана |
|
|
Ефремов А.М., Смирнов С.А., Бетелин В.Б.
|
| Том 52, № 4 (2023) |
Одиночные структурные повреждения в СБИС |
|
|
Чумаков А.И.
|
| Том 52, № 2 (2023) |
Оксидные мемристоры для ReRAM: подходы, характеристики, структуры |
|
|
Исаев А.Г., Пермякова О.О., Рогожин А.Е.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Особенности электроформовки и функционирования мемристоров
на основе открытых “сэндвич”-структур TiN–SiO2–Mo |
|
|
Горлачев Е.С., Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Параметры газовой фазы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 в плазме CF4/C4F8/Ar/He |
|
|
Ефремов А.М., Kwon K.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Параметры и состав плазмы в смеси CF4 + H2 + Ar: эффект соотношения CF4/H2 |
|
|
Мяконьких А.В., Кузьменко В.О., Ефремов А.М., Руденко К.В.
|
| Том 52, № 2 (2023) |
Параметры плазмы и кинетика реактивно-ионного травления SiO2 и Si3N4 в смеси HBr/Cl2/Ar |
|
|
Ефремов А.М., Бетелин В.Б., Kwon K.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Параметры плазмы и кинетика травления Si/SiO2 в смесях фторуглеродных газов с аргоном и гелием |
|
|
Ефремов А.М., Бетелин В.Б., Kwon K.-.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Перенос электронов в биполярном транзисторе со сверхрешеткой в области эмиттера |
|
|
Голиков О.Л., Забавичев И.Ю., Иванов А.С., Оболенский С.В., Оболенская Е.C., Павельев Д.Г., Потехин А.А., Пузанов А.C., Тарасова Е.А., Хазанова С.В.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Плазма водорода в условиях электрон-циклотронного резонанса в технологии микроэлектроники |
|
|
Полушкин Е.А., Нефедьев С.В., Ковальчук А.В., Солтанович О.А., Шаповал С.Ю.
|
| Том 53, № 4 (2024) |
Плазмохимическое и реактивно-ионное травление арсенида галлия в среде дифтордихлорметана с гелием |
|
|
Мурин Д.Б., Чесноков И.А., Гогулев И.А., Анохин А.Л., Молоскин А.Е.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Получение графена: осаждение и отжиг |
|
|
Шустин Е.Г.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Прецизионная томография кудитов |
|
|
Богданов Ю.И., Богданова Н.А., Кузнецов Ю.А., Кокшаров К.Б., Лукичёв В.Ф.
|
| Том 53, № 2 (2024) |
Применение метода конечных элементов для расчета параметров поверхностных акустических волн и устройств на их основе |
|
|
Койгеров А.С.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Применение спектральной эллипсометрии для диэлектрических, металлических и полупроводниковых пленок в технологии микроэлектроники |
|
|
Гайдукасов Р.А., Мяконьких А.В.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Проектирование интегральных умножителей напряжения по типовым КМОП-технологиям |
|
|
Синюкин А.С., Коноплев Б.Г., Ковалев А.В.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Прототипы приборов гетерогенной гибридной полупроводниковой электроники с встроенным биомолекулярным доменом |
|
|
Баранов М.А., Карсеева Э.К., Цыбин О.Ю.
|
| Том 53, № 2 (2024) |
Пульсации DC/DC преобразователя, построенного по SEPIC топологии |
|
|
Битюков В.К., Лавренов А.И.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Разработка аппарата образного представления информации для нейроморфных устройств |
|
|
Симонов Н.А.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Разработка методики построения нелинейной модели метаморфного 0.15 мкм МHEMT InAlAs/InGaAs транзистора |
|
|
Локотко В.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И.
|
| Том 52, № 3 (2023) |
Разработка нелинейной модели псевдоморфного 0.15 мкм рHEMT AlGaAs/InGaAs/GaAs транзистора |
|
|
Цунваза Д., Рыжук Р.В., Васильевский И.С., Каргин Н.И., Клоков В.А.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Разработка приборной структуры Ge-МДПТ с индукцированным каналом p-типа |
|
|
Алябина Н.А., Архипова Е.А., Бузынин Ю.Н., Денисов С.А., Здоровейщев А.В., Титова А.М., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г.
|
| Том 52, № 1 (2023) |
Расчет напряженности электрического поля и плотности тока внутри тонкого металлического слоя с учетом скин-эффекта |
|
|
Завитаев Э.В., Русаков О.В., Чухлеб Е.П.
|
| Том 52, № 6 (2023) |
Расчет рабочих характеристик МЭМС‑переключателя c “плавающим” электродом |
|
|
Морозов М.О., Уваров И.В.
|
| Том 52, № 2 (2023) |
Сечения процессов рассеяния при электронно-лучевой литографии |
|
|
Рогожин А.Е., Сидоров Ф.А.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Согласование параметров термоэлектрической системы охлаждения теплонагруженных элементов электроники |
|
|
Васильев Е.Н.
|
| Том 53, № 6 (2024) |
Состав газовой фазы и кинетика атомов фтора в плазме SF6 |
|
|
Мяконьких А.В., Кузьменко В.О., Ефремов А.М., Руденко К.В.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Структура и формирование энергонезависимых ячеек памяти Superflash |
|
|
Абдуллаев Д.А., Боброва Е.В., Милованов Р.А.
|
| Том 53, № 1 (2024) |
Структурирование поверхности тонких углеродных пленок в ходе активации импульсами тока микросекундной длительности |
|
|
Нефедов Д.В., Шабунин Н.О., Браташов Д.Н.
|
| Том 53, № 2 (2024) |
Структурные особенности и электрические свойства термомиграционных каналов Si(Al) для высоковольтных фотоэлектрических преобразователей |
|
|
Ломов А.А., Середин Б.М., Мартюшов С.Ю., Татаринцев А.А., Попов В.П., Малибашев А.В.
|
| Том 53, № 5 (2024) |
Температурные зависимости напряжения пробоя высоковольтного КНИ LDMOS транзистора |
|
|
Новоселов А.С., Гусев М.Р., Масальский Н.В.
|
| Том 53, № 3 (2024) |
Тепловое моделирование и оптимизация топологии GaN интегральной схемы полумоста с драйвером управления и силовыми транзисторами |
|
|
Кагадей В.А., Кодорова И.Ю., Полынцев Е.С.
|
| 1 - 100 из 105 результатов |
1 2 > >> |
